电路基础知识II
电容
串联
- 容量变小 （较少采用）
并联
- 容量变大 （大多采用）
作用
- 储能
- 滤波（可尝试采用电击法快速锁定损坏的电容）
- 耦合
特性
- 通交流（波动）阻直流（平稳）， 通高频 阻低频；
- 电容两端的电压不能突变。
测量
- 二极管档测
- 电容两脚短接放电；
- 万用表拨二极管档，红笔接正极，黑笔接负极，读数由小变大至OL，容量大小决定充电过程快慢；
- 若不能充满至OL，则电容漏电损坏；
- 若读数一直为零，则电容短路损坏；
- 电容档测量
- 万用表打到容量档；
- 红表笔接到电容正极，黑表笔接到电容负极，测得容量与标识容量值误差在20%以内。
电感
作用
- 储能（电能<—>磁能），电感一般会用在电压的输入与输出端。
特性
- 通直流（平稳），阻交流（波动），通直阻交；
- 电感两端的电流不能突变。
二极管
特性
- 单向导电性
- 硅：P≥N+0.7 V 锗：P≥N+0.3 V
作用
- 实现升降压
- 实现逻辑“或” （CMOS电路）
- 实现逻辑“与”
三极管
三极管由两个 PN 结组成，是一种电流控制元器件。
结构
- 基极（Base）、 集电极（Collector）、 发射极（Emitter）
- 三个极，两个结，三个区
状态
- 导通：发射结正偏，C、E极之间导通
- 截止：发射结反偏，C、E极之间断开
运用
- NPN三极管（当E极接地）B极与C极电压相反，非门；
- PNP三极管（当B极接地）E极与C极电压相同， 同门。
MOS管
MOSFET，金属氧化物半导体场效应晶体管，一种电压控制元器件，可以不需要电流，是最容易坏的元器件之一。
结构
- G: 栅极（控制极） D: 漏极（输入极） S: 源极（输出极）
测量
- 万用表打到二极管档；（N沟道MOS管为例）
- 红表笔接 S 极，黑表笔接 D 极，测得值在450—750 左右，其余均为无穷大
- 导通功能测试：红表笔接 G 极，黑表笔分别测 D 极和 S 极，再快速测 D 极和 S 极之间的阻值应为 0
- 测得值有一次值基本为 0（先放电），如果还是为0则 MOS 管击穿，都为无穷大，则 MOS 管开路。
状态
- N 沟道 MOS 管导通条件：VG>VS（G极电压越高越导通）9V或以上
- P 沟道 MOS 管导通条件：VG<VS（G极电压越低越导通）
- 实际电路中大多数用7002代替NPN型三极管使用。
结论
- NPN型三极管不能在B极直接加电压，7002N沟道MOS管则可以在G极直接加电压。
稳压管
稳压管又叫线性稳压集成 IC，是一种电压控制元器件。
作用
- 当输入电压有变化时输出电压不变化
分类
- 三端不可调稳压器，78M05 、78D05、 78L05、 431 、1085 、 1117
- 三端可调稳压器，1084 、1085 、1086、 1087 、1117 、3117
比较运算放大器
状态
- 当V+ > V-则VOUT输出为高电平，当V+≤V-则VOUT输出为低电平
原理
- 比较器属于漏极开路输出，所以输在出端上一定要有上拉电阻（条件满足时开关断开，条件不满足时开关闭合）。
PWM供电电路
脉宽调制电路
结构
- 输入电感+输入滤波电容+上管、下管+输出电感+输出滤波电容+PWM电源芯片
工作流程
- VIN是PWM上管输入电压，VCC是PWM电路芯片的供电。
- COMP/ON 是PWM电源芯片的开启信号（正常为高电平）。
- BOOT/BST 自举升压。
- UGATE 上管驱动信号。
- LGATE 下管驱动信号。
- PHASE 相位输出。
- FB 反馈。