电路基础知识II
电容
串联
- 容量变小 (较少采用)
并联
- 容量变大 (大多采用)
作用
- 储能
- 滤波(可尝试采用电击法快速锁定损坏的电容)
- 耦合
特性
- 通交流(波动)阻直流(平稳), 通高频 阻低频;
- 电容两端的电压不能突变。
测量
- 二极管档测
- 电容两脚短接放电;
- 万用表拨二极管档,红笔接正极,黑笔接负极,读数由小变大至OL,容量大小决定充电过程快慢;
- 若不能充满至OL,则电容漏电损坏;
- 若读数一直为零,则电容短路损坏;
- 电容档测量
- 万用表打到容量档;
- 红表笔接到电容正极,黑表笔接到电容负极,测得容量与标识容量值误差在20%以内。
电感
作用
- 储能(电能<—>磁能),电感一般会用在电压的输入与输出端。
特性
- 通直流(平稳),阻交流(波动),通直阻交;
- 电感两端的电流不能突变。
二极管
特性
- 单向导电性
- 硅:P≥N+0.7 V 锗:P≥N+0.3 V
作用
- 实现升降压
- 实现逻辑“或” (CMOS电路)
- 实现逻辑“与”
三极管
三极管由两个 PN 结组成,是一种电流控制元器件。
结构
- 基极(Base)、 集电极(Collector)、 发射极(Emitter)
- 三个极,两个结,三个区
状态
- 导通:发射结正偏,C、E极之间导通
- 截止:发射结反偏,C、E极之间断开
运用
- NPN三极管(当E极接地)B极与C极电压相反,非门;
- PNP三极管(当B极接地)E极与C极电压相同, 同门。
MOS管
MOSFET,金属氧化物半导体场效应晶体管,一种电压控制元器件,可以不需要电流,是最容易坏的元器件之一。
结构
- G: 栅极(控制极) D: 漏极(输入极) S: 源极(输出极)
测量
- 万用表打到二极管档;(N沟道MOS管为例)
- 红表笔接 S 极,黑表笔接 D 极,测得值在450—750 左右,其余均为无穷大
- 导通功能测试:红表笔接 G 极,黑表笔分别测 D 极和 S 极,再快速测 D 极和 S 极之间的阻值应为 0
- 测得值有一次值基本为 0(先放电),如果还是为0则 MOS 管击穿,都为无穷大,则 MOS 管开路。
状态
- N 沟道 MOS 管导通条件:VG>VS(G极电压越高越导通)9V或以上
- P 沟道 MOS 管导通条件:VG<VS(G极电压越低越导通)
- 实际电路中大多数用7002代替NPN型三极管使用。
结论
- NPN型三极管不能在B极直接加电压,7002N沟道MOS管则可以在G极直接加电压。
稳压管
稳压管又叫线性稳压集成 IC,是一种电压控制元器件。
作用
- 当输入电压有变化时输出电压不变化
分类
- 三端不可调稳压器,78M05 、78D05、 78L05、 431 、1085 、 1117
- 三端可调稳压器,1084 、1085 、1086、 1087 、1117 、3117
比较运算放大器
状态
- 当V+ > V-则VOUT输出为高电平,当V+≤V-则VOUT输出为低电平
原理
- 比较器属于漏极开路输出,所以输在出端上一定要有上拉电阻(条件满足时开关断开,条件不满足时开关闭合)。
PWM供电电路
脉宽调制电路
结构
- 输入电感+输入滤波电容+上管、下管+输出电感+输出滤波电容+PWM电源芯片
工作流程
- VIN是PWM上管输入电压,VCC是PWM电路芯片的供电。
- COMP/ON 是PWM电源芯片的开启信号(正常为高电平)。
- BOOT/BST 自举升压。
- UGATE 上管驱动信号。
- LGATE 下管驱动信号。
- PHASE 相位输出。
- FB 反馈。